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Disque dur ultracompact d'Intel
Vendredi dernier, Intel a présenté l'un des plus petits disques durs à mémoire flash du marché. La puce, également connue sous le nom de disque dur à semi-conducteurs, est en concurrence avec des puces similaires de Samsung, qui stockent des données dans des gadgets tels que l'iPod nano et l'iPhone d'Apple. Mais la puce Intel est livrée avec un contrôleur électronique standard intégré, ce qui rend facile et peu coûteux la combinaison de plusieurs puces en un seul disque dur de plus grande capacité.
Léger comme une plume: Ce disque dur à mémoire flash est disponible en versions de deux et quatre gigaoctets et pèse moins qu'une goutte d'eau. Une version de deux gigaoctets sera disponible sur les petits ordinateurs portables, tels que les tablettes PC, au début de l'année prochaine.
Cette décision met en évidence les efforts d'Intel pour s'imposer comme un leader des puces de mémoire flash et pour en faire un remplacement pour les disques durs magnétiques encombrants et conventionnels qui stockent des données sur la plupart des ordinateurs du monde. Les téléphones intelligents et les ordinateurs dits ultramobiles nécessiteront une sorte de système de stockage dense et durable afin d'apporter la puissance des ordinateurs de bureau aux appareils portables.
Depuis qu'elle est sortie des laboratoires à la fin des années 90, la mémoire flash a révolutionné l'électronique grand public. Parce que les puces de mémoire flash sont plus petites, plus robustes et plus économes en énergie que les disques durs magnétiques, elles ont été le remplacement idéal des disques durs dans les appareils portables tels que les lecteurs MP3, et même dans certains ordinateurs portables haut de gamme. Flash est une technologie de mémoire à semi-conducteurs, ce qui signifie qu'elle ne comporte aucune pièce mobile et stocke les données à l'aide de transistors au silicium comme ceux que l'on trouve dans les puces de microprocesseur. Parce qu'il utilise la technologie des microprocesseurs, il suit également à peu près La loi de Moore , la prédiction selon laquelle le nombre de transistors sur une puce double environ tous les deux ans. Pour les processeurs, cela signifie qu'ils deviennent plus rapides, mais pour les puces de mémoire flash, cela signifie que le stockage des données double. Et le marché a répondu à l'essor de la capacité flash : en 1999, le marché de la mémoire flash était inexistant, mais en 2007, il s'élève à 15,2 milliards de dollars.
Lors d'une conférence de presse, Don Larson, directeur marketing des produits Nand chez Intel, a présenté la nouvelle puce. Appelé Z-P140, il a à peu près la taille d'une vignette et pèse moins qu'une goutte d'eau. Il est actuellement disponible en versions de deux et quatre gigaoctets, qui sont disponibles pour les fabricants pour une utilisation dans les appareils portables. Les premiers produits intégrant les nouvelles puces seront disponibles en janvier.
Étant donné que le nouveau disque SSD intègre une électronique de contrôle standard, il peut être combiné avec jusqu'à trois autres puces Intel sans contrôleur, pour un maximum de 16 gigaoctets de stockage, explique Troy Winslow, responsable du marketing flash chez Intel. . Bien que cela puisse sembler peu par rapport aux disques durs de 160 gigaoctets des ordinateurs de bureau, Larson a souligné que deux gigaoctets suffisent pour exécuter certains systèmes d'exploitation, tels que Linux, ainsi que des applications logicielles. L'électronique de la puce lui permet également de bien fonctionner avec les processeurs Intel, ce qui la rend utile pour le marché des PC ultramobiles. Et d'ici 2010, a déclaré Larson, Intel s'attend à pouvoir entasser 64 gigaoctets de stockage dans un morceau de silicium de la taille de la nouvelle puce.
Flash a suscité des critiques car ses cellules de mémoire, qui contiennent les charges électriques qui représentent les données, ont tendance à s'user rapidement. Mais Winslow dit que dans les nouvelles puces, une cellule de mémoire peut avoir des données écrites et effacées jusqu'à 100 000 fois. Et pour garantir qu'aucune cellule ne soit surutilisée, les puces sont dotées d'algorithmes de niveau d'usure programmés, qui répartissent uniformément la lecture et l'écriture. Ainsi, la mémoire flash pourrait commencer à montrer des signes d'usure dans environ cinq ans, selon la façon dont elle est utilisée. De plus, le champ électrique statique qui maintient la charge a tendance à se dégrader avec le temps ; les pertes de données dans ce cas pourraient se produire après environ 10 ans.
Les chercheurs d'Intel et d'autres sociétés recherchent la prochaine technologie à semi-conducteurs qui pourrait remplacer le flash. Winslow dit qu'Intel teste actuellement la mémoire à changement de phase, un type de mémoire dans lequel la structure cristalline d'un matériau change en réponse à la chaleur ; des orientations particulières du cristal correspondent à des 1 et à des 0. La mémoire à changement de phase présente de nombreux avantages de la mémoire flash, tels que sa robustesse et sa petite taille. Mais les données peuvent y être écrites des milliers de fois plus rapidement qu'elles ne le peuvent pour clignoter.